多层介电复合膜

击穿强度提至1.6倍

外层PESU抑制电荷注入并分散场强,中间层掺Ni-MOF,同时实现超高击穿强度和高效率的介质储能膜。

Li, Zhicheng · Zhang, Yu · 潘仲彬 · Fan, Xu · Li, Peng · 黄海鸣 · Wang, W. L. · Weidong, Chen · 刘进军 · 李伟平

Journal of Materials Chemistry A 2024

具体参数

电击穿强度
{'zh': '824', 'en': '824'} MV m⁻¹
放电效率
{'zh': '87.3', 'en': '87.3'} %
放电能量密度
{'zh': '20.8', 'en': '20.8'} J cm⁻³

技术优势

击穿强度提至1.6倍

PESU外层抑制电荷从电极注入,并分担电场,使弱点处的电场不再集中,从而整体击穿强度提高。

效率提高24.9%

中间层P(VDF-HFP)掺入Ni-MOF后,载流子迁移受限,损耗降低,因此放电效率从纯P(VDF-HFP)的基础上提升。

能量密度20.8 J cm⁻³

高击穿强度搭配高放电效率,使膜能够在更高电场下工作,最终放电能量密度达到20.8 J cm⁻³。

应用场景