CVD可控WS₂纳米片

多形貌高结晶

改进CVD工艺以过渡金属氧化物和硫族化物混合物为前驱体，实现多种形貌的2H相二硫化钨纳米片可控制备，结晶质量高且元素分布均匀。

Jiashuo, Yan · Lian, Shuang · Zhigang, Cao · Yadan, Du · Ping, Wu · Sun, Huijuan · 安玉凯

Vacuum 2023

具体参数

气流量

{'zh': '50', 'en': ''} sccm

技术优势

获得大三角、六角、小三角、阶梯和螺旋结构

2H相结构，高结晶质量

W和S元素分布均匀