Ga掺杂Cs₃Cu₂I₅纳米晶

缺陷钝化近零损耗

引入Ga重塑缺陷形成热力学与电子结构，成功抑制深能级碘空位，恢复自陷激子高效辐射复合，同时刚性化Cu-I骨架提升稳定性。

Lu, Yongfeng · Yuting, Tong · Fangyi, Zha · Hu, Zhenyu · Liping, Gui · Cheng, Hongrui · Liang, Yuhang · 郑远辉

Chemical Engineering Journal 2026

具体参数

Ga掺杂同时重塑热力学与电子结构，在成核与工作阶段抑制深能级碘空位形成，恢复自陷激子高效辐射复合。

形成的Ga间隙原子削弱金属-卤素反键耦合，刚化Cu-I骨架，显著提升结构稳定性。

Ga掺杂纳米晶的光致发光量子产率达到95.7%，接近辐射复合极限。

深蓝/紫外泵浦白光LED显色指数达95.3，工作寿命超过312小时，适合照明与显示。