垂直光栅耦合器

耦合效率高

基于220 nm SOI平台的逆向设计,实现光纤与芯片间的高效垂直耦合。

Guangbiao, Zhong · Haoda, Xu · Ruitao, Zhang · 康浙 · Lü, Yegang · 张会红 · Tian, Ye

IEEE Journal of Quantum Electronics 2025

具体参数

模拟耦合效率
-2.4 dB
带宽
40 nm
实测峰值耦合效率
-3.98 dB
实测
3 dB