光交联免光刻
掺入传输层与发光层经紫外光照原位交联，免去光刻胶与多步工艺，实现 QLED 高分辨无损图形化。
Yi, Yuan Qiu Qiang · Xu, Wenya · Qing-Qing, Zhang · 张硕 · 谢黎明 · 苏文明 · 崔铮 · Luscombe, Christine
ACS Nano 2024
交联剂直接掺入功能层，经紫外曝光即可实现高溶剂耐受性的图案化，无需树脂基光刻胶。
交联后的红色 QLED 外量子效率最高可达 22.45%，表明无损图形化过程没有牺牲器件性能。
通过光刻图案化，空穴传输层线宽可窄至 2 μm，发光层线宽可窄至 4 μm，为高分辨显示提供可能。