击穿电压超1.2 kV
采用神经网络与粒子群算法快速优化的氮化镓高电子迁移率晶体管，击穿性能可在分钟内预测并实现自动化设计。
Shijie, Liu · 段小玲 · 王树龙 · 张进成 · 郝跃
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 2023