混合Cr-Pt掩模

FIB刻蚀高对比成像

将铂的高二次电子产额与铬的电荷耗散能力结合，在绝缘钽酸锂上实现边缘清晰、无充电畸变的纳米结构成像。

Lu, Ning · Zhuoqun, Wang · Yufeng, Zang · 贾曰辰

Applied Surface Science 2026

技术优势

边缘看得清

Pt掩模利用其低溅射产额、高本征二次电子产额和高熔点，显著增强纳米结构单元的边缘对比度，使结构在SEM下清晰可见。

兼顾导电与抗刻蚀

混合Cr-Pt掩模结合了Cr的电荷耗散能力与Pt的刻蚀抗性，有效解决了纯Cr掩模下纳米结构对比度差的问题。

应用场景

• 光学超表面：提高绝缘超表面FIB加工的成像质量，避免漂移导致的结构缺陷。
• 聚焦离子束微纳加工：解决绝缘材料FIB刻蚀中充电引起的对比度差和漂移问题。
• 绝缘体纳米结构：让绝缘体上的纳米结构在FIB过程中清晰可见，便于精确加工。