40nm下高GBW高能效
采用有源偏置电阻-电容对实现极点消除，配合自适应共模偏置电路，在40nm CMOS工艺下实现高增益带宽积与优异的共模电压稳定性。
Jiang, Yu · Cheng, Xu · Han, Jingyu · 郭桂良
Analog Integrated Circuits and Signal Processing 2023
整个模拟基带IC在1.5V供电下仅消耗3mA电流，适合便携设备。
低通滤波器-3dB带宽可达35MHz，且可编程，适应多标准通信。
电压增益0-63dB，步进1dB，覆盖多种信号幅度需求。
在20dB增益、HPF 3MHz、LPF 35MHz配置下，输出IP3达21.1dBm，失真低。