739 A/W 高响应
通过铟掺杂提高氧空位浓度，将器件光电导增益提升至739.2 A/W，非晶结构可通过溶胶-凝胶法低温制备，使下一代紫外探测器性能更高、制造更简。
Zhang, Yupeng · Ruiheng, Zhou · Xinyan, Liu · Zhengyu, Bi · 阮圣平 · 马艳 · 李鑫 · Liu, Caixia · 陈玉 · Zhou, Jingran
Sensors 2024
得益于非晶结构与铟掺杂引入的高浓度氧空位，光生电子浓度大幅提升，器件在同等光照下产生更高光电流。
光暗电流比达到 2.8×10³，说明高增益同时暗电流仍被有效抑制，适合弱紫外信号检测。
采用溶胶-凝胶法即可制备非晶薄膜，无需高真空或高温外延设备，有利于大面积、低成本集成。