界面工程电荷陷阱聚芳醚酮复合膜

150 °C 高温高储能

通过在BN纳米颗粒表面包覆氨基苯甲酸电压稳定剂,在聚芳醚酮共聚物基体中构建界面电荷陷阱,同时抑制高温漏电流和电场畸变,实现高温高储能密度与低损耗的协同。

张志成 · 张晓 · Dong, Bo

Materials Horizons 2023

参数信息

储能密度
10.1 J cm⁻³
充放电效率
90 %
充放电循环稳定性
100000 cycles

技术优势

150 °C照样高效储能

界面电荷陷阱抑制高温引发的Schottky发射和P-F发射,漏电流大幅降低,因此在150 °C、600 MV m⁻¹下仍能达到10.1 J cm⁻³且效率90%。

循环十万次不衰减

在150 °C、250 MV m⁻¹下经受100 000次充放电循环后,复合介质薄膜仍表现出良好的充放电特性,说明其长期工作可靠性高。

漏电损耗被压低

通过BN表面包覆氨基苯甲酸电压稳定剂,构建有效电荷陷阱,显著抑制高温下的Schottky发射和P-F发射,从而使漏电流损耗大幅降低。

填充量低,加工性好

仅0.3 vol%的m-ABA-BN颗粒填充就实现最优性能,填料含量低有利于保持基体力学柔性和加工性。

应用场景