Al-Sn共掺杂NVP正极

突破V⁴⁺/V⁵⁺高压壁垒

通过局域电子相互作用同时激活高压V⁴⁺/V⁵⁺氧化还原并稳定结构，实现高度可逆的多电子反应。

Jia, Kang · Siqi, Wang · 朱岭 · Duanfeng, Xiong · Fei-Yang, Teng · Wu, Xiangsi · Zou, Qiuling · Ao, Jiang · Leyi, Zhang · Huang, Yonggang · 王任衡 · 吴显明 · 吴贤文

Journal of Energy Chemistry 2026

具体参数

比容量

{'zh': '147.6', 'en': '147.6'} mAh g⁻¹

循环体积变化

{'zh': '1.07', 'en': '1.07'} %

反应电子数

{'zh': '2.53', 'en': '2.53'}

技术优势

体积变化极小

循环过程中体积变化仅 1.07%，源于掺杂 Al 的钉扎效应稳定晶体结构。

激活高电压反应

Al 掺杂激活 V⁴⁺/V⁵⁺ 氧化还原对，实现 2.53 电子反应，提高容量。

电子导电性提升

Sn 作为局域电子库补偿 V 的电荷变化，动力学测试和 DFT 计算表明共掺杂提高了电子电导率并降低 Na⁺ 扩散势垒。

应用场景

• 钠离子电池正极：提供高容量、长循环的正极材料，用于钠离子电池。
• 高能量密度储能器件：通过多电子反应和高电压实现高能量密度，用于储能器件。
• 长循环电池组集成：极低体积变化和稳定结构支持长循环，适合电池组集成。