Ti₂CTₓ 太赫兹吸收薄膜

低导电高吸收

电导率低26倍却达到与Ti₃C₂Tₓ相近的本征吸收极限，为低载流子浓度下的高效太赫兹吸收提供了新路径。

飞扬 · Qiuxiang, Wang · Feng, Wang · Guozheng, Zhang · 胡旻 · Ding, Tianpeng · Zhao, Tao · 肖旭

InfoMat 2025

参数信息

直流电导率比值

26

技术优势

低电导也能高吸收

Ti₂CTₓ薄膜直流电导率比Ti₃C₂Tₓ低26倍，但太赫兹本征吸收性能相近，打破了高吸收必须依赖高电导的预期。

高迁移率低有效质量

Ti₂CTₓ的低电子有效质量带来高太赫兹电子迁移率，归因于其低电子有效质量。

设计准则明确

提出优化电子密度与有效质量之比(n/m*)是实现高太赫兹本征吸收的关键，为材料设计提供直接指导。

应用场景

• 柔性太赫兹器件：薄膜可直接用作柔性吸收层，集成到柔性太赫兹器件中。
• 太赫兹传感：高吸收特性可使传感元件更灵敏地响应太赫兹辐射变化。
• 太赫兹光学：可作为高效吸收层用于太赫兹光学元件，减少反射和透射。
• MXenes电子器件：为MXene电子器件提供基于低载流子浓度的太赫兹功能材料候选。