单晶α-In2Se3薄膜

英寸级电迁移率高达117

采用准平衡生长策略在氟金云母上实现英寸级单晶单层α-In2Se3外延，取向稳健且窗口宽，为二维铁电器件提供高质量材料。

Si, Kunpeng · Zhao, Yifan · 张鹏 · Wang, Xingguo · He, Qianqian · Wei, Juntian · Li, Bixuan · Hu, Zhigao · Tang P. · Ding, Feng · 宫勇吉

Nature Communications 2024

具体参数

电子迁移率最高

117.2 cm2 V-1

技术优势

薄膜尺寸达英寸级

在α-In2Se3铁电场效应晶体管中展示可靠非易失存储，长保持时间和鲁棒循环耐久性