NiFeP-CoP/泡沫钴析氧电极

235 mV过电位

低温生长的CoOOH纳米片与填充的NiFe磷化物协同,在碱性介质中显著降低析氧过电位,并具备大规模电极生产的潜力。

Zhao, Mengyao · 赵辉 · 刘思源 · 郑金友

Nanomaterials 2025

参数信息

析氧过电位(10 mA cm⁻²)
235 mV
析氧过电位(100 mA cm⁻²)
290 mV
析氢过电位(-10 mA cm⁻²)
89 mV
析氢过电位(-100 mA cm⁻²)
172 mV
全解水电压(100 mA cm⁻²)
1.70 V

技术优势

不用贵金属

CoOOH纳米片与过渡金属磷化物替代了昂贵的贵金属催化剂,降低了电极成本。

低温就能做

泡沫钴上原位生长CoOOH纳米片可在低温下完成,适合大规模电极制备。

长期稳定

在100 mA cm⁻²下长期连续运行,析氧过电位保持不变,析氢过电位反而下降。

应用场景