低工作电压下性能提升
用3 nm铁电HZO层替代FinFET栅堆叠中的常规HfO2，引入负漏致势垒降低和负微分电阻特性，提升驱动电流和电路性能。
Zhang, Zhaohao · Luo, Yanna · Gaobo, Xu · Yao, Jiaxin · Wu, Zhenhua · 赵鸿滨 · 张青竹 · 殷华湘 · 罗军 · 王文武 · 屠海令 · Feng, Wei
Rare Metals 2024
因铁电性增强产生负漏致势垒降低效应，相同漏极电压下HZO-FinFET的IDS高于HfO2-FinFET。
在低VDD下，基于HZO-FinFET的电路性能超过HfO2-FinFET，适用于超低功耗芯片。
仅在栅堆叠中用3 nm HZO替代HfO2，不改变FinFET现有工艺流程，可利用ALD沉积。