SiC焊接h-BN骨架

界面热阻降逾99%

通过原位CVI在相邻BN微片间焊接SiC,将绝缘环氧复合材料中的主导填料界面热阻从400降至3.83 nK·m²/W,热导率提升26%

Ding, Dongliang · Huang, Ruoyu · 彭波 · Xie, Yangyang · 杨晨辉 · 张秋禹 · 张学骜 · 秦光照 · 陈妍慧

ACS Nano 2023

具体参数

BN-BN界面热阻

3.83 nK·m²/W

热导率提升幅度

26 %

技术优势

热导率提升26%

焊接后的BN-BN界面热阻大幅降低，热流沿导热通路更高效传递，使复合材料在15 vol% h-BN下热导率提升26%。

界面热阻降99%

CVI-SiC焊接在BN微片间形成牢固连接，使BN-BN界面热阻从400 nK·m²/W骤降至3.83 nK·m²/W，降幅超过99%。

保持绝缘性

复合材料由绝缘的h-BN和SiC组成，在提升热导率的同时保持电绝缘，满足集成电路封装对短路风险的规避需求。

应用场景

• 电子封装热管理：提供高效散热且绝缘，降低封装内短路风险。
• 聚合物导热复合材料：作为高导热填料体系，可直接与环氧等基体复合。
• 集成电路散热：提升芯片散热效率，避免局部热点。
• 芯片封装材料：作为封装材料组分，兼顾绝缘和导热需求。