SiO₂包覆ZnO压敏电阻

梯度升一倍半

核壳结构同时提升电位梯度、非线性系数并大幅降低漏电流，实现压敏电阻综合性能的协同优化。

Chaofan, Wang · He, Jun Jia · Xiaoxuan, Zhang · Fu, Zhiyao · Song, Li

Gaodianya Jishu/High Voltage Engineering 2023

具体参数

电位梯度

{'zh': '651.37', 'en': '651.37'} V/mm

非线性系数

{'zh': '73.02', 'en': '73.02'}

漏电流密度

{'zh': '0.73', 'en': '0.73'} μA/cm2

技术优势

梯度显著提升

SiO2包覆形成的核壳结构有效控制了晶粒生长，使得单位厚度的压敏电压大幅提高，有利于减小避雷器的体积和重量。

非线性增强

核壳结构改善了晶界势垒特性，非线性系数提升至73.02，使压敏电阻在过电压时能更迅速地导通，保护更可靠。

漏电流骤降

包覆层减少了氧空位等缺陷，漏电流密度降至0.73 μA/cm2，降低了正常工作时的功率损耗和发热风险。

应用场景

• 电力系统避雷器：高梯度允许更紧凑的避雷器设计，降低绝缘配合难度。
• 高压绝缘保护：降低漏电流可减少长期运行中的劣化，提高绝缘可靠性。
• 电子设备过压防护：高非线性系数确保快速钳位，保护敏感电子元件。