非均匀共掺杂CZTSSe

效率升至12.14%

通过非均匀Ag、Cd共掺杂构型，抑制深能级缺陷，降低体相与界面复合，实现更高的填充因子与开路电压。

Mengge, Li · Ma, Ding · 姚斌 · 李永峰 · 丁战辉 · Wang, Chunkai · Luan, Hongmei · 朱成军

Chemical Engineering Journal 2025

具体参数

光电转换效率（非均匀共掺杂）
{'zh': '12.14', 'en': '12.14'} %
光电转换效率（均匀共掺杂）
{'zh': '11.12', 'en': '11.12'} %

技术优势

效率更高

非均匀共掺杂将效率从9.34%提升至12.14%，比均匀共掺杂的11.12%高出1.02个百分点。

填充因子更高

非均匀共掺杂相比均匀共掺杂，填充因子和开路电压的提升主要源于反向饱和电流密度的降低。

缺陷抑制更好

非均匀共掺杂能更有效地抑制CuZn和[2CuZn+SnZn]深能级缺陷，从而减少体相与界面复合。

应用场景