4H-SiC SGT MOSFET

反向恢复电荷降九成

采用""形P+屏蔽区替代源极沟槽，在降低导通电阻的同时，集成的肖特基二极管有效抑制体二极管激活，显著改善反向恢复特性。

Xiaobo, Cao · 刘晶 · 尹忠刚

Micromachines 2024

参数信息

栅漏电容降低幅度

81.2 %

栅电荷降低幅度

41.2 %

反向恢复电荷降低幅度

90.71 %

导通电阻降低幅度

20 %

击穿电压提高幅度

8.1 %

技术优势

反向恢复电荷大减

集成的侧壁肖特基二极管阻止体二极管激活，从根本上改变了反向恢复路径，反向恢复电荷较DTMOS低90.71%。

栅漏电容更低

改进的P+屏蔽区优化了电场分布并扩展了电流通路，栅漏电容较DTMOS降低81.2%，有助于提高开关速度。

导通电阻降低

与双屏蔽DS-MOS相比，SPDT-MOS的导通电阻降低20%，有助于降低导通损耗。

应用场景

• 功率变换器：大幅降低开关损耗和反向恢复损耗，提高变换器效率。
• 电动汽车电驱：低导通电阻和高速开关能力适合电机驱动，减少能量损耗并提升续航。
• 光伏逆变器：高频高效特性适配逆变器直流-交流转换，降低系统体积和成本。
• 高频开关电源：低栅电荷和电容支持更高开关频率，降低开关损耗，提高功率密度。