氧介导前驱体预处理
一种氧掺杂前驱体预处理结合逆流反应器设计的方法，解决了PVD生长多元素TMDC时蒸发速率不匹配和硒化物蒸气压不足的问题，实现了厘米级均匀单层薄膜生长。
Zhang, Baihui · Liu, Hang · Chen, Yinghao · Du, Yang · Wang, Luyao · Wentao, Lv · 曹金晖 · 廖蕾 · Zhang, Zhengwei
Nano Letters 2026
氧掺杂前驱体预处理提高了前驱体的挥发性，使气相中前驱体浓度更高，有利于快速均匀成核与生长。
预处理与逆流反应器设计共同稳定了气相组成，解决了蒸发速率不匹配问题，从而保证多元素TMDC的化学计量比。
方法实现了厘米级单层TMDC薄膜的均匀快速生长，晶粒尺寸大、结晶质量高，适用于大面积器件制备。
生长的MoSe2薄膜载流子迁移率达45.065 cm2/V·s，并具有405-850 nm宽谱光响应，展现出优异的电学和光学性能。