CVD生长WSe2/ReSe2异质结

强耦合高各向异性

将高迁移率的各向同性WSe2与低对称性的ReSe2直接化学气相沉积成垂直异质结，突破了传统人工堆叠的界面耦合弱、制备效率低的局限，为偏振敏感光电器件提供了新设计范式。

Guo, Yong · Cong, Chunxiao · 钱永生 · 刘学超 · 方雷 · 靳敏

RSC Advances 2026

技术优势

各向异性更强

界面超强耦合使各向同性的WSe2发生本征对称性破缺，从而在异质结中表现出显著的面内光学各向异性。

制备更高效

采用NaCl辅助CVD直接生长，一步形成垂直异质结，避免人工转移堆叠的复杂工序。

界面耦合更强

WSe2的光致发光显著猝灭且激子寿命缩短，直接证明CVD生长的异质结具有超强界面耦合。

应用场景

• 偏振敏感光电探测器：利用面内光学各向异性实现对偏振光的灵敏探测，提高器件性能。
• 各向异性光电器件：基于各向异性异质结设计新型光电器件，如偏振光开关和调制器。
• 二维材料异质结：提供强界面耦合的垂直异质结，为二维材料集成提供新方案。