超薄Fe4GeTe2磁体

自旋翻转转变清晰

利用氮空位磁力计定量重构了超薄Fe4GeTe2的磁化大小与方向，揭示了其易磁化轴随温度从面外翻转为面内的自旋翻转转变，并观测到面内各向异性效应及磁畴形成能力。

Chen, Wang · Wan, Siyuan · 王亚 · 石发展 · 宫明 · 曾华凌

Nano Letters 2024

具体参数

自旋翻转温度

{'zh': '80', 'en': '80'} K

磁畴形成能力

{'zh': '0.4', 'en': '0.4'} μm2 μT−1

技术优势

易磁化轴随温度翻转

磁化方向从面外转为面内，为温度调控自旋取向提供直接证据。

可定量成像磁化分布

利用氮空位中心重构磁化大小与方向，直接观测磁畴形成能力。

揭示面内各向异性效应

通过热激活逃逸行为分析，观测到面内磁各向异性效应对磁畴形成的影响。

应用场景

• 二维磁存储：易磁化轴可调，有望实现高密度、低功耗的二维磁存储单元。
• 自旋电子器件：面内/面外自旋取向可控，适合构筑磁场调控的自旋电子器件。
• 高灵敏度磁成像：该材料可作为氮空位磁力计成像二维磁体的标准样品。