双内置电场ZnO@CdS/Bi2S3异质结

汞离子检测限0.26 nM

通过双界面内建电场增强光生载流子定向迁移，实现超灵敏光电化学汞离子传感。

Baohuan, Fan · Fu, Yamin · Wentao, Zeng · 潘勤鹤

Journal of Hazardous Materials 2025

参数信息

检测限

0.26 nM

线性范围

0.001-500 μM

灵敏度

84.52

电子寿命

1.11 ms

技术优势

信号增强

双界面内建电场为光生载流子提供更强的定向迁移驱动力，使光电流信号超强增强。

可见光吸收增强

引入 Bi2S3 拓宽了可见光响应范围并增强吸收强度。

超低检测限

传感器检测限低至 0.26 nM，能够检测痕量汞离子。

宽线性范围

线性范围跨越 0.001–500 μM，覆盖多个数量级浓度。

应用场景

• 环境重金属监测：在环境水样中高灵敏度检测汞离子适用性良好。
• 汞离子检测：专门用于汞离子检测，检测限 0.26 nM。
• 生物传感器：作为光电化学生物传感器检测汞离子。
• 微流控传感器：可集成到微流控传感器中实现汞离子检测。
• 可穿戴环境监测：可实现可穿戴环境监测中的汞离子检测。