单步高兼容制备
通过单步PECVD在碳纳米管侧壁直接生长石墨烯，形成强键合异质结构，用于锂硫电池硫宿主时显著增强多硫化物氧化还原动力学。
Chaoxu, Hao · Li, Mai · Xuedong, Wang · Chu, Changqing · 刘治明 · 何燕 · 慈海娜
Small Methods 2024
在同一个PECVD过程中完成碳纳米管表面活化和石墨烯生长，省去多步转移与后处理，工艺可控，利于批量可重复制备。
等离子体在碳纳米管侧壁产生损伤，这些损伤位点直接充当石墨烯的成核中心，无需引入催化剂或额外预处理。
作为硫宿主时，强键合的Gr@CNTs异质结构提供丰富的活性界面，加速多硫化物的氧化还原动力学，提高硫利用率。