石墨烯/(Al,Ga)N纳米线异质结

光电突触一体,脑级低功耗

通过栅压调控氧空位电离程度,在同一透明器件中单片集成360°自驱动光电探测器与人工突触,实现传感与神经形态计算双模式工作。

Jiang, Min · Zhao, Yukun · 刘通 · Yanyan, Chang · Yuan, Tang · 周敏 · Shi, Yiping · Zhang, Jianya · 边历峰 · 陆书龙

Light: Science and Applications 2025

参数信息

UV/可见光抑制比
1.29×10⁴
暗电流
1 pA
单次突触事件功耗
2.5×10⁻¹⁴ J

技术优势

一个器件两种功能

无需分别制造探测器与突触,简化系统并降低集成复杂度。

功耗接近人脑突触

单次突触事件功耗2.5×10⁻¹⁴ J,远低于传统神经形态器件。

暗电流低于1 pA

在自驱动模式下暗电流小于1 pA,适合微弱光信号检测。

抑制比达1.29×10⁴

UV/可见光抑制比1.29×10⁴,有效区分紫外与可见光。

应用场景