低曲率微电极阵列

精准植入深脑

通过背面干法刻蚀释放残余应力，实现腹侧被盖区等深部脑组织的精准植入，显著降低测量不确定性。

Wei, Xu · Wang, Mixia · Yang, Gucheng · Mo, Fan · Liu, Yaoyao · Jin, Shan · Jing, Luyi · 立明 · 刘军涛 · Shiya, Lv · Duan, Yiming · Meiqi, Han · Xu, Zhaojie · 宋轶琳 · 蔡新霞

Microsystems and Nanoengineering 2024

技术优势

植入更精准

低曲率设计通过背面干法刻蚀释放残余应力，组织学验证确认其提高了电极植入精度。

能记录到位置野

在VTA中观察到位置野，且当路径-结果关系改变时，这些位置野消失或重构，说明该电极能够捕获空间导航相关的神经编码。

应用场景

• 深部脑区电生理记录：精准植入深部小体积核团，如VTA，减少测量不确定性。
• 神经信号采集：记录自由行为动物的VTA神经元放电与LFP，用于解码导航和奖励编码。
• 多巴胺能神经元活动监测：监测VTA多巴胺能神经元在奖励和导航中的活动。
• 脑机接口电极：作为植入式神经界面，未来可集成到脑机接口中进行深部脑信号采集。