抗1.35GeV重离子辐照
该异质结二极管在1.35 GeV高能重离子辐照下，通过统计实验揭示了烧毁前的缺陷行为与灾难性烧毁机制，为提升β-Ga₂O₃功率器件的空间辐照耐受性提供关键物理见解。
Zhengliang, Zhang · Sun N. · 王天琦 · 周峰 · 刘超铭 · Jianli, Liu · 陆海 · 霍明学 · 肖立伊 · 叶建东
Applied Physics Letters 2025
辐照引入的空穴陷阱H2（EV+0.6 eV）劣化结势垒，导致不可恢复的漏电退化，明确了器件失效的物理根源。
区域I（p-NiO/n⁻-Ga₂O₃）由陷阱辅助电场击穿主导，区域II（n⁻-Ga₂O₃/n⁺-Ga₂O₃）由电荷积累的热致损伤驱动，为抗烧毁设计提供了明确靶点。
陷阱归因于离子入射路径上的电子能量损失，基于“热峰”物理模型，可能形成局域非晶潜径迹，为抑制缺陷提供理论依据。