中空 SnS@C/MoS₂ 纳米管负极

高比表面 · 长循环

自牺牲模板法构建纳米管结构,同时实现表面碳包覆与高比表面积,充分发挥组分协同效应。

Ye, Songwei · Yang, Zunxian · Ye, Yuliang · Cheng, Zhiming · Hong, Hongyi · Zeng, Zhiwei · Meng, Zongyi · Lan, Qianting · Hui, Zhang · Ye, Chen · Wang, Jiaxiang · Yuting, Bai · Xudong, Jiang · Benfang, Liu · Jiajie, Hong · 郭太良 · Shen, Xu · 翁臻臻 · Yongyi, Chen

CrystEngComm 2024

具体参数

放电比容量
{'zh': '970.9', 'en': '970.9'} mAh g⁻¹
放电比容量
{'zh': '778.1', 'en': '778.1'} mAh g⁻¹

技术优势

比表面积大

自牺牲模板法保留纳米管表面的纳米片结构,避免碳层覆盖导致活性位点损失。

循环够稳

无定形碳层有效提高导电性并缓冲体积变化,使 1 A g⁻¹ 下 500 次循环后容量仍达 970.9 mAh g⁻¹。

倍率也够用

独特的纳米管结构与组分协同效应使材料在 2 A g⁻¹ 高电流密度下仍能输出 778.1 mAh g⁻¹。

应用场景