磁性抛光垫

Fenton 抛光 SiC

该磁流变弹性体抛光垫通过催化 Fenton 反应实现单晶 SiC 的高效化学机械抛光，兼顾高去除率与低表面粗糙度。

Hu, Da · 路家斌 · Liyun, Su · 易怀安 · Enchi, Xue

Journal of Environmental Chemical Engineering 2026

参数信息

材料去除率

4527 nm/h

表面粗糙度

1.367 nm

甲基橙脱色率

72.42 %

技术优势

去除率高

抛光垫中的 CIP@Fe3O4 催化 Fenton 反应产生羟基自由基，软化 SiC 表面并促进材料去除。

表面质量好

优化条件下获得的表面粗糙度 Ra 低至 1.367 nm，满足精密加工需求。

条件可调

通过响应面法系统优化了催化剂用量、H2O2 浓度和 pH，确定了最佳催化条件。

应用场景

• SiC 晶圆抛光：直接用于单晶 SiC 晶圆的高效抛光，提高表面质量。
• CMP 抛光垫：作为新型 CMP 抛光垫，集成 Fenton 催化功能替代传统机械磨削。
• 第三代半导体衬底加工：满足第三代半导体衬底加工对高去除率和低损伤的要求。
• 精密表面加工：实现纳米级表面粗糙度的精密表面加工。