制氢速率提升82倍
硫掺杂管状g-C₃N₄与ZnIn₂S₄构建的type II异质结,大幅提升光生载流子分离效率,突破g-C₃N₄光催化制氢瓶颈。
Zhengnan, Lin · 方庆艳 · 谭鹏 · Chen, Gang · 张诚
Journal of Fuel Chemistry and Technology 2025
10%硫掺杂管状g-C₃N₄/层状ZnIn₂S₄复合材料的制氢速率达1.64 mmol/(g·h),是单一硫掺杂管状g-C₃N₄的82倍。
type II异质结界面的能带梯度使光生电子和空穴快速迁移,降低复合,从而提升光催化制氢性能。
硫掺杂管状g-C₃N₄具有大的比表面积,提供更多光催化反应活性位点,促进光生电子-空穴对的生成与转移。