Mo吸附四方八边形锑烯

高陈数量子反常霍尔态

立方八边形锑单层经Mo原子吸附，首次获得陈数C=4的量子反常霍尔态，出现四条无间隙手性边缘态，支持多通道低功耗输运。

Bao, Hairui · 赵宝 · 张加永 · Xue, Yang · Zhou, Tong · Yang, Zhongqin

2D Materials 2023

参数信息

陈数

4

技术优势

陈数翻倍

获得的陈数C=4远大于已预测量子反常霍尔绝缘体的C=±1或±2，从而提供更多边缘输运通道。

应变即可实现

仅需3.7%压缩应变即可从平凡绝缘体转变为量子反常霍尔态，调控手段简单。

多通道无耗散

拓扑非平庸带隙内出现四条无间隙手性边缘态，可实现稳健的多通道低功耗输运。

应用场景

• 拓扑量子计算：高陈数提供更多手性边缘通道，可用于构建拓扑量子比特。
• 量子反常霍尔器件：直接实现高陈数量子反常霍尔态，可用于无耗散边缘输运器件。
• 自旋电子学：具有自旋极化的边缘态，可用于自旋注入和输运。
• 低功耗电子器件：拓扑边缘态无耗散，可降低器件功耗。