畴壁钉扎调控介电
揭示了铁弹性畴壁对介电弛豫的贡献，为优化其光电性能提供指引。
Zou, Chen · 杨得鑫
Nanomaterials 2025
低温（约170–180 K）下出现频率依赖的介电损耗峰，归因于氯空位钉扎极化畴壁
在八面体倾斜相变温度附近，铁弹性畴壁的形成或消失导致介电常数显著异常
观察到从立方到四方再到正交的可逆相变，伴随条状铁弹性畴壁的形成与演化