吲哚咔唑萘啶发射体

双光子成像探针

引入平面缺电子萘啶单元，单线态-三线态能隙达0.49 eV，有望通过高能级反向系间窜越实现高效发光，适合先进双光子成像。

Keruckiene, Rasa · 75748106 · Assel, Kuanysheva · Pin-Chun, Liao · Ho-Chia, Tsai · Chu, Shi-Wei · Gražulevičius, Juozas Vidas

Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry 2026

参数信息

三线态能隙

0.49 eV

技术优势

近红外激发光谱下荧光强度与激发功率成平方依赖

理论预测可经高能级反向系间窜越（T₂→S₁）提升发光效率