杂化无机分子晶体

高k介电且宽带隙

通过杂化两种分子晶体调和了高介电常数与宽带隙的矛盾，同时具有优异机械柔韧性

Yuhan, Yang · Yao-Long, Kang · Zi-Ye, Li · Jiabin, Liu · Fusheng, Zhang · 金晨东 · 王瑞宁 · 石兴强 · 王江龙 · 巩朋来

Journal of Materials Chemistry C 2025

具体参数

介电常数

{'zh': '8', 'en': '8'}

直接带隙

{'zh': '4.55', 'en': '4.55'} eV

空间群

{'zh': 'F4̄3m', 'en': 'F4̄3m'}

技术优势

介电常数够高

杂化材料实现介电常数超过 8，满足二维半导体器件对高 k 介电层的需求。

带隙足够宽

直接带隙达到 4.55 eV，解决了 Sb2O3 带隙偏窄的问题，提升器件绝缘性能。

机械柔韧性好

该杂化晶体表现出优异的机械柔韧性，为柔性电子应用提供了新选择。

筛选过程高效

采用高通量结构预测与稳定性分析，快速锁定稳定的杂化结构，加速材料发现。

应用场景

• 二维半导体器件：作高k介电层，解决窄带隙漏电，提升器件性能。
• 高介电材料：同时实现高k与宽带隙，替代传统高k但窄带隙材料。
• 柔性电子：利用机械柔韧性，可用于柔性显示、传感器等介电层。