Bi修饰拓扑异质结

太赫兹发射增50%

区别于常规拓扑绝缘体异质结，该结构通过界面Rashba态将自旋-电荷转换效率显著提升。

Sun, Yun · 张凡 · 李静 · Ying-Ying, Zhang · 王自力 · Runyu, Zhao · 姚湲 · Zou, Jin · 张杰 · Hong, Bin · Xu, Yong · Eimer, Sylvain · 温良恭 · 孙继荣 · 金钻明 · 吴晓君 · 聂天晓 · 赵巍胜

ACS Nano 2025

参数信息

太赫兹发射增强

50.3 %

太赫兹发射增强

35.1 %

太赫兹发射增强

44.3 %

技术优势

效率显著提升

通过构建Rashba介导的Dirac表面态，自旋-电荷转换效率提高，太赫兹发射强度提升最高50.3%。

界面透明是主因

实验揭示界面透明性是影响发射效率的首要因素，为后续优化指明了方向。

温度依赖弱

发射强度随温度变化不显著，有利于在宽温度范围内稳定工作。

应用场景

• 太赫兹通信：用作高效太赫兹发射源，提升通信带宽与速率。
• 自旋电子器件：提供高效自旋-电荷转换模块，用于自旋电子器件。
• 太赫兹传感：作为高灵敏度太赫兹源，改善传感信噪比。
• 量子计算：可作为量子信息处理中的超快太赫兹控制源。