真空热压键合高熵合金接头

界面结合质量快速提升

通过应变速率瞬态变化引入高密度位错，促进界面再结晶和孪晶界形成，大幅提高界面晶界迁移水平。

Chuanzong, Li · Moqiu, Li · Xu, Jijin · 陈劼实 · Lu, Hao · Chen, Junmei · Yu, Chun

Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing 2024

技术优势

键合质量快速提升

应变速率瞬态变化引入高密度位错，促进界面再结晶晶粒形核，加速不连续动态再结晶过程。

促进孪晶界形成

亚晶界和界面晶界转变为高迁移率孪晶界，有利于界面迁移和结合。

显著提高晶界迁移

加速的再结晶和孪晶界迁移显著提高接头界面晶界迁移水平，改善界面结合质量。

应用场景

• 高熵合金结构件：为高熵合金结构件的可靠连接提供一种高效固态键合方法，保证界面结合强度。
• 航空航天结构连接：真空热压键合工艺适用于航空航天复杂结构的固态连接，提升接头质量。
• 热压键合工艺：通过引入应变速率瞬态变化优化热压键合工艺，提高界面结合质量。