碳化硅晶须增强氮化硅陶瓷

1600°C退火吸收最优

通过高温退火优化碳化硅晶须含量,平衡自由碳与晶须比例,获得远优于未退火样品的电磁波吸收性能。

Yu, Siwen · 曾涛 · Yipeng, Yang · Honghao, Jiang · Wu, Rina · Fan, Meiling · Cheng, Su

Ceramics International 2023

具体参数

反射损耗
{'zh': '−14.1', 'en': '−14.1'} dB
有效吸收带宽
{'zh': '2.16', 'en': '2.16'} GHz

技术优势

吸收性能大幅跃升

在1600 °C退火后,由于自由碳含量降低和碳化硅晶须含量升高,反射损耗达到−14.1 dB,远优于未退火样品。

获得宽有效吸收带宽

2–18 GHz范围内有效吸收带宽达2.16 GHz,意味着在相当宽的频率范围内均可实现有效吸收。

退火温度可调控吸收性能

反射损耗随退火温度先降后升,表明通过选择退火温度能够调控吸收性能以适应不同需求。

应用场景