VSSe/CrI3异质结

谷劈裂达到105.7 meV

通过调控界面原子接触，将Janus VSSe的谷劈裂提升至百毫电子伏量级，并保持面内磁各向异性，为谷电子器件提供新型层状结构。

Ruifeng, Yan · Haifeng, Zhang · 安玉凯

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

具体参数

界面谷劈裂最大值

{'zh': '105.7', 'en': ''} meV

应变从

{'zh': '-4', 'en': ''} %

技术优势

层间距减小时谷劈裂单调增加

VSSe层保持面内磁各向异性（IMA），CrI3层保持面外磁各向异性（PMA）