宽带3dB定向耦合器

硅基IPD易集成

采用硅基集成无源器件工艺,以缺陷地结构与摆动耦合线两种设计实现宽带耦合,适合低成本高性能射频前端系统级封装。

Xu, Mengmeng · 苏江涛 · 王瑞金 · 刘俊

Micromachines 2023

参数信息

隔离度
< -16.16 dB
隔离度
< -21.21 dB
隔离度
< -17.02 dB

技术优势

低成本集成

基于硅基IPD工艺,无需额外组装,可直接用于系统级封装射频前端。

应用场景