多磁耦合振荡器

宽调谐低相噪

通过多磁耦合与有源源极退化,在拓宽调谐范围的同时抑制相位噪声,提升谐振腔品质因数。

Shan, Xiaoyu · 刘冬生 · Hu, Ang · Jin, Zirui · Lu, Jiahao · Aobo, Li · Kai, Li · 邹雪城

IEEE Journal of Solid-State Circuits 2024

参数信息

频率调谐范围
2.88–5.87 GHz
功耗
20.5–27.9 mW

技术优势

调谐范围翻倍

通过两个主线圈实现谐振模式切换,在不牺牲相位噪声性能的情况下将频率调谐范围加倍。

相位噪声更低

有源源极退化通过初次级线圈的额外耦合抑制有源器件有效噪声功率。

品质因数提升

初次级线圈强耦合提升谐振腔电感部分等效品质因数,进一步改善相位噪声。

应用场景