大带宽铌酸锂电光调制器

半波电压 1.8 V

采用厚行波电极工艺，实现低损耗、高消光比和稳定阻抗，适用于多频段RFID系统。

Xueting, Luo · Zhenqian, Gu · Chong, Wang · 范超 · 张维佳

Electronics (Switzerland) 2024

参数信息

半波电压
1.8 V
测试带宽
50 GHz
消光比
36.5 dB
插入损耗
6 dB
光学波导模场
1 μm
全频段特性阻抗
50 Ω

技术优势

工艺稳定可控

多层光刻技术制备厚行波电极，成功减少了厚电极制造中截面不规则的问题，提高了器件的稳定性和可控制性。

带宽够用

测试带宽达到50 GHz，覆盖多频段RFID应用需求，并保持全频段50 Ω特性阻抗，实现宽带高效电光转换。

电压够低

半波电压仅1.8 V，降低了驱动要求，有利于系统集成。

应用场景