大带宽铌酸锂电光调制器

半波电压 1.8 V

采用厚行波电极工艺，实现低损耗、高消光比和稳定阻抗，适用于多频段RFID系统。

Xueting, Luo · Zhenqian, Gu · Chong, Wang · 范超 · 张维佳

Electronics (Switzerland) 2024

具体参数

半波电压

{'zh': '1.8', 'en': '1.8'} V

测试带宽

{'zh': '50', 'en': '50'} GHz

消光比

{'zh': '36.5', 'en': '36.5'} dB

插入损耗

{'zh': '6', 'en': '6'} dB

光学波导模场

{'zh': '1', 'en': '1'} μm

全频段特性阻抗

{'zh': '50', 'en': '50'} Ω

技术优势

工艺稳定可控

多层光刻技术制备厚行波电极，成功减少了厚电极制造中截面不规则的问题，提高了器件的稳定性和可控制性。

带宽够用

测试带宽达到50 GHz，覆盖多频段RFID应用需求，并保持全频段50 Ω特性阻抗，实现宽带高效电光转换。

电压够低

半波电压仅1.8 V，降低了驱动要求，有利于系统集成。

应用场景

• 电光调制器：用于高速电光转换，实现低电压、宽带调制。
• 毫米波通信器件：可在毫米波频段实现低损耗信号调制。
• RFID系统：支持多频段RFID信号的精准识别与处理。
• 光子集成电路：作为片上电光转换核心，适合高密度集成。