Pd-Cu-Ag多孔纳米花

C2+选择性近70%

利用2D纳米片组装成3D多级孔结构,Pd掺杂优化表面电子性质,降低C-C耦合能垒,提升C2+产物选择性。

Haoyu, Sun · Dun, Li · Min, Yuanyuan · 王莹莹 · 马艳芸 · 郑逸群 · 黄宏文

Acta Physico - Chimica Sinica 2024

参数信息

C2+产物选择性
69.5 %
C2+部分电流密度
-349.1 mA·cm⁻²

技术优势

C2+选择性近70%

Pd₀.₇Cu₄₀.₀Ag₅₉.₇ PHNFs催化剂实现了69.5%的C2+产物选择性,归因于Pd掺杂调控电子结构,降低了C-C偶联能垒。

多级孔结构促进传质

由2D纳米片组装成的3D多孔结构最大化暴露表面原子,并提供大量扩散通道和反应位点。

合成方法直接可控

通过原位转化和电偶置换反应即可制备多孔纳米花,避免了传统逐步自组装策略的耗时和结构控制难题。

应用场景