500 krad辐照仅漂0.10%
同时实现高精度与强抗辐射，采用多种新电路与版图技术，适用于航天环境。
Feng, Yang · Yihan, Liu · Wang, Chao · Zhao, Yang · 李永福
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 2025
采用改进的横向PNP晶体管和共质心NPN版图设计，500 krad(Si)总剂量后电压仅变化0.10%。
利用温度补偿电阻和熔丝修调，温度系数低至4.9 ppm/°C，接近精密基准水平。
通过版图设计实现单粒子闩锁免疫，LET阈值超过80.5 MeV·cm²/mg，满足航天抗辐射要求。