4H-SiC裂变靶探测器

低散射背景

采用30 μm薄灵敏厚度4H-SiC探测器，散射本底比传统Si-PIN显著降低，使裂变靶探测系统能够完整获取0.26 MeV以上中子能量响应曲线。

Zhang, Xianpeng · Song, Zhaohui · 张建福 · 刘林月 · Liu, Jingliang · Yi, Han · 陈永浩 · 蒋伟

Journal of Instrumentation 2023

参数信息

能量响应下限

0.26 MeV

SiC灵敏厚度

30 μm

飞行距离

55 m

技术优势

散射本底更低

采用30 μm薄灵敏厚度的SiC探测器，相比传统Si-PIN探测器，散射本底显著降低，提高了信噪比。

直接标定响应曲线

在CSNS Back-n束线上利用飞行时间法直接测量，无需基于裂变截面外推，完整获取0.26 MeV以上能量响应曲线。

抗干扰能力强

实验证实SiC+裂变靶探测系统具有强信噪比和抗干扰能力，适合在复杂辐射环境中使用。

应用场景

• 中子探测：用于脉冲中子探测，直接获取能量响应。
• 脉冲中子诊断：在散裂中子源上标定探测系统，支持能谱诊断。
• 碳化硅探测器：以薄灵敏厚度降低散射本底，提高信噪比。
• 辐射监测系统：强信噪比与抗干扰能力适用于辐射监测。