低对称Weyl半金属NbIrTe₄

低功耗场自由翻转

利用其面外自旋实现垂直磁化的场自由翻转，功耗为低对称材料中最低，比WTe₂低16倍。

Rui, Hou · Yan, Zhi · Fei, Wang · Junnan, Guo · Kaiwei, Guo · Pengnan, Zhao · Yaohui, Du · 刘亮 · 于国强 · 张力舒 · 张德林 · 姜勇 · 许小红

ACS Nano 2026

具体参数

临界翻转电流密度
{'zh': '3.6 × 10⁶', 'en': '3.6 × 10⁶'} A/cm²
翻转极性稳定上限（面内磁场）
{'zh': '19', 'en': '19'} mT
功耗降低倍数（相对WTe₂）
{'zh': '16', 'en': '16'} ×
功耗降低倍数（相对TaIrTe₄）
{'zh': '4', 'en': '4'} ×

技术优势

免外磁场

依靠材料本身的面外自旋，无需辅助磁场就能翻转垂直磁化，简化器件结构。

功耗最低

临界翻转电流密度仅为3.6 × 10⁶ A/cm²，在同类低对称材料中功耗最低。

抗磁扰动

翻转极性在高达19 mT的面内磁场下保持不变，器件工作更稳定。

应用场景