反铁磁隧道结

Zhao, Wei; Liu, Yi; Liu, Yang; Cheh Tan, Cheng; Yang, Yuanjun; Zhu, Zhifeng; Chen, Meixia; Rong, Hu; James, Partridge; Wang, Guopeng; Tian, Mingliang; Shao, Dingfu; Wang, Lan

反铁磁隧道结

TMR达75%

利用范德瓦尔斯A型反铁磁金属与二维半导体构建全共线反铁磁隧道结，实现纯界面驱动的自旋极化隧穿，性能可媲美传统铁磁隧道结。

Zhao, Wei · Liu, Yi · 刘阳 · Cheh Tan, Cheng · 杨远俊 · Zhu, Zhifeng · Chen, Meixia · Rong, Hu · James, Partridge · Wang, Guopeng · 田明亮 · Shao, Dingfu · Wang, Lan

Nature Communications 2025

具体参数

隧穿磁电阻比最高: {'zh': '75', 'en': ''} %

技术优势

在反铁磁态下实现，而非反铁磁-铁磁转变过程中

通过电极层数奇偶调控，可实现易失或非易失隧穿磁电阻

隧穿磁电阻源于界面自旋翻转或奈尔矢量翻转