高能{111}晶面暴露
通过各向异性晶面形成强内建电场，驱动光生电子和空穴向不同晶面定向迁移，实现空间电荷高效分离。
申倩倩 · Wenxiang, Kang · Lin, Ma · Zhe, Sun · Baobao, Jin · Li, Huimin · Yang, Miao · 贾虎生 · Xue J.
Chemical Engineering Journal 2023
各向异性晶面间功函数差异形成强内建电场，驱动光生电子定向迁移至{100}面、空穴迁移至{111}和{110}面，显著促进载流子分离。
还原与氧化反应位点在空间上分别分布于{100}和{111}/{110}晶面，有效抑制了CO₂还原逆反应，同时促进水氧化释放更多质子。
熔盐法中Cl⁻在{111}晶面的选择性吸附抑制了高能晶面的快速生长，使26面体STO成功暴露出高能{111}晶面。