900°C下高灵敏
该传感器采用Al2O3陶瓷结构和ITO材料,解决了传统压阻式传感器在高温下的失效问题,实现宽温域(室温至900℃)和宽频响应。
Haigang, Wang · Ruliang, Xu · Biling, Wang · Mingyang, Kong · Hanbin, Wang · Yang, Zhe · 张帆 · Yanfeng, Zhan · Qiang, Li · 梁军生
Microsystems and Nanoengineering 2025
采用Al2O3陶瓷基底和ITON敏感材料,突破了传统硅基压阻传感器的高温失效限制,可在900℃稳定输出。
在900°C时灵敏度达到236 mV/mA/MPa,保持高灵敏压力检测能力。
在25℃至1000℃范围内频率响应超过409 kHz,可用于动态压力测量。
芯片在H2SO4和NaOH溶液中浸泡70小时后,电阻仅分别增加2.4%和0.8%,适用于腐蚀性环境。