HfOx/NiOx超低压忆阻堆栈

开关电压<±0.2V

由HfOx和择优取向NiOx薄膜组成的双层堆栈,利用HfOx缓冲层抑制漏电并调控氧空位导电细丝,实现超低电压双极性电阻切换。

Tao, Zhang · Yaosong, Huang · Wei, Minglong · 邱小燕

Journal of Applied Physics 2025

具体参数

Switching voltage
0.2 V

技术优势

高阻态/低阻态比达~2×10⁵

NiOx(100)/HfOx堆栈的阻态比在7×10²至9×10³之间

高阻态和低阻态的电流-电压曲线均符合欧姆传导关系