WS₂/MoSe₂横向异质结

高响应率

通过紫外臭氧处理抑制原子取代，实现稳定可控的CVD生长，并开发免聚合物转移方法，获得高质量结界面。

Sheng, Mingyuan · Xi, Chang · Mao, Xiaojun · Gao, Yang · Xuan, Xiaoyang · 谢海芬 · 牟海川 · 钮月萍 · Gong, Shang Qing · 钱敏

Advanced Electronic Materials 2024

参数信息

响应度

21.87 A W⁻¹

比探测率

4.2×10¹² Jones

技术优势

抑制原子取代

紫外臭氧处理生成低能 Mo─O 过渡态，阻止 S 快速替换 Se，避免刻蚀，保证异质结稳定生长。

免聚合物转移

基于毛细作用开发了无聚合物转移方法，避免了传统转移中聚合物残留对界面的污染，保证了高质量界面。

内建电场促进分离

KPFM 证实异质结内建电场能有效分离光生电子-空穴对，从而提高光响应。

应用场景

• 二维材料光探测器：提供高质量异质结样品，直接用于制备高性能二维材料光探测器。
• 异质结光电子器件：作为横向异质结研究的标准结构，用于验证内建电场对光电子器件性能的提升。
• 高灵敏光电探测：高响应度和比探测率，适合需要高灵敏光电探测的应用，如紫外弱光检测。
• 免聚合物转移：采用免聚合物转移方法，避免聚合物残留，保证异质结界面清洁，提升器件性能。